Samsung Electronics sẽ tổ chức động thổ xây một nhà máy flash NAND tại Trung Quốc vào năm nay, một phát ngôn viên của hãng cho biết hôm 5/1/2012.
Nhà máy mới của Samsung sẽ sản xuất 100.000 tấm nền wafer 12-inch mỗi tháng, sử dụng công nghệ 20nm mới nhất, trong đó mỗi tấm nền này được cắt thành nhiều chip nhớ. Quá trình xây dựng sẽ được bắt đầu trong năm nay và sẽ được đưa vào hoạt động từ năm 2013. Dù vậy, theo phát ngôn viên Nam Ki-Yung của hãng cho biết, vị trí chính xác của nhà máy này vẫn chưa được xác định.
Bộ nhớ flash NAND là một thành phần bộ nhớ chủ yếu hiện đang được sử dụng trong các thiết bị kỹ thuật số hiện nay, từ smartphone cho đến máy tính bảng, ultrabook, ổ lưu trữ. Samsung là một nhà cung cấp bộ nhớ flash chính, và cũng cung cấp cho một số hãng đối thủ đáng gờm như Apple (là hãng sản xuất nhiều sản phẩm tại nhà máy ở Trung Quốc như Foxconn).
Samsung đã được Chính phủ Hàn Quốc phê duyệt dự án này hôm 4/1/2012, và hiện vẫn đang chờ phía Trung Quốc chấp thuận.
Hãng hiện chưa công bố thông tin về chi phí đầu tư để xây nhà máy mới này. Tuy nhiên, theo thông tin một tờ báo địa phương dẫn lời một quan chức của Samsung, chi phí để xây dựng sẽ vào khoảng từ 3 - 3,5 tỷ USD (~từ 63 - 73,5 nghìn tỷ đồng).