• Thứ Sáu, 10/10/2014 09:48 (GMT+7)

    Samsung bắt đầu sản xuất chip NAND 3D 3-bit

    Huy Thắng
    (PCWorldVN) Dòng chip mới của Samsung sẽ được sử dụng trong các thế hệ ổ SSD mới với băng thông lớn hơn, đồng thời giảm điện năng tiêu thụ.

    Samsung hôm 7/10 vừa qua công bố bắt đầu đưa vào sản xuất hàng loạt loại chip nhớ flash NAND 3D 3-bit đầu tiên của ngành công nghiệp để sử dụng trong các ổ lưu trữ trạng thái rắn SSD (solid state drive) cho máy tính và các thiết bị khác.

    Chip 3D hoặc V-NAND (vertical NAND), như Samsung gọi, là một thế hệ chip thứ hai trong đó sử dụng 32 lớp tế bào ô nhớ xếp chồng lên nhau theo chiều dọc của mỗi chip nhớ NAND. Mỗi chip có thể cung cấp tối đa 128 gigabit (Gb) dung lượng nhớ. Samsung cho biết dòng chip này được thiết kế theo công nghệ tế bào đa lớp MLC (multi-level cell) với 3-bit mỗi tế bào. Trong khi dòng chip thế hệ trước, công bố vào tháng 8/2013, sử dụng 2-bit mỗi tế bào.

    Việc sử dụng chip 3-bit V-NAND sẽ giúp làm tăng hiệu quả sản xuất bộ nhớ, Samsung cho biết trong một tuyên bố. So với loại flash NAND 3-bit 2D (là loại chip một lớp hay còn gọi là chip có cấu trúc xếp theo chiều ngang), chip 3-bit V-NAND đa lớp mới sẽ tăng hơn gấp đôi sản lượng sản xuất chip tại nhà máy của Samsung.

    Dòng chip flash NAND 3D 3-bit của Samsung đã bắt đầu được sản xuất.
    Một trong những thành tựu quan trọng nhất của công nghệ V-NAND của Samsung là công nghệ quy trình kết nối thẳng đứng độc quyền, có thể xếp chồng lên đến 32 lớp tế bào theo chiều dọc, sử dụng công nghệ khắc đặc biệt có thể kết nối các lớp điện tử bằng cách dùi lỗ từ tầng cao nhất xuống phía dưới.

    Công nghệ xếp chồng các lớp trong chip flash NAND có vẻ như sẽ tạo ra những chip dày hơn, tuy nhiên Samsung cho biết thì sự gia tăng "là không đáng kể so với chip flash NAND 2D", thực tế là chỉ chưa đến một vài micron chiều cao.

    Không giống như chip flash NAND 2D, chip V-NAND mới của Samsung sử dụng cấu trúc tế bào dựa trên công nghệ 3D Charge Trap Flash (CTF) và công nghệ quy trình kết nối dọc để liên kết các mảng tế bào. Bằng cách áp dụng công nghệ kết nối dọc, chip V-NAND 3D của Samsung có thể cung cấp hơn gấp hai lần so với tỉ lệ của loại chip flash NAND 2D 20nm.

    Năm ngoái, Samsung đã giới thiệu thế hệ chip V-NAND đầu tiên (24 lớp tế bào) và tung ra chip V-NAND thế hệ thứ hai (32 lớp) với cấu trúc mảng tế bào hồi tháng 5/2014. Sự ra đời của chip 3-bit V-NAND 32 lớp cho thấy Samsung đang đẩy mạnh sự phát triển của ngành công nghệ sản xuất V-NAND.

    Với việc bổ sung một dòng chip hoàn toàn mới dành cho các loại ổ SSD chất lượng cao, cả về hiệu năng lẫn giá trị định hướng, Samsung tin rằng chip V-NAND 3-bit mới sẽ đẩy nhanh quá trình chuyển đổi của ngành thiết bị lưu trữ dữ liệu từ sử dụng ổ đĩa cứng HDD truyền thống sang loại ổ SSD hiện đại, Jaesoo Han, Phó chủ tịch cao cấp bộ phận tiếp thị và bán hàng của Samsung cho biết.