• Thứ Ba, 25/10/2005 14:40 (GMT+7)

    Powerchip có kế hoạch mở rộng sản xuất DRAM ồ ạt

    Bốn nhà máy mới ở Đài Loan sẽ làm cho Powerchip trở thành một trong những nhà cung cấp DRAM hàng đầu thế giới

    Nhà sản xuất chip nhớ Powerchip Semiconductor của Đài Loan có kế hoạch trong 6 năm tới sẽ xây dựng bốn nhà máy mới tại Đài Loan để trở thành một trong những nhà cung cấp DRAM (Dynamic RAM) hàng đầu thế giới. Các nhà máy này sử dụng những tấm silicon (wafer) có kích cỡ 300mm (12 inch) trong sản xuất. Mỗi nhà máy có giá thành từ 2,2 đến 3 tỉ USD tùy số lượng dây chuyền và công nghệ sản xuất bên trong.

    Powerchip trông đợi nhiều vào các sản phẩm điện tử tiêu dùng sẽ sử dụng DRAM như máy trò chơi, điện thoại di động thế hệ thứ ba. Sở dĩ có sự đầu tư này là do nhiều đối thủ cạnh tranh của công ty đang chuyển sang thị trường bộ nhớ NAND Flash (bộ nhớ sử dụng trạng thái Not - And của các phần tử logic), do đó sẽ có nhiều cơ hội hơn cho nhà sản xuất DRAM trong tương lai.

    Powerchip cho biết trong 6 năm tới, cứ 3 năm công ty sẽ xây dựng 2 nhà máy mới. Công ty dự kiến lượng vốn đầu tư năm 2005 sẽ đạt 1,88 tỉ USD. 

    Powerchip đã có 2 nhà máy lớn đang hoạt động ở Đài Loan. Họ xây dựng nhà máy đầu tiên vào đúng thời điểm bắt kịp sự tăng tiến của thị trường trong năm 2003. Nhà máy thứ hai sản xuất ra khoảng 25.000 silicon wafer/tháng. Hàng ngàn chip DRAM có thể được làm ra trên mỗi silicon wafer.

    Mặc dù chi phí của các nhà máy mới rất cao nhưng chúng sẽ đóng vai trò quan trọng trong việc hạ giá thành sản xuất chip hàng loạt (giảm khoảng 1/3 so với các nhà máy cũ).

    Trung tuần tháng 10/2005, một trong những đối thủ cạnh tranh chính của Powerchip ở Đài Loan là công ty Inotera Memories Inc. cũng đã bắt đầu xây mới nhà máy thứ hai của mình. Trên thế giới, nhà sản xuất DRAM hàng đầu là hãng điện tử Samsung Electronics Co. Ltd. của Hàn Quốc. Năm 2005 Samsung đã tập trung sản xuất bộ nhớ Flash NAND dùng cho máy nghe nhạc MP3, máy ảnh số vì chúng sinh lãi nhiều hơn.


    Bạch Đình Vinh (IDG News Service, 21/10/2005)

     

    ID: O0510_1