• Thứ Năm, 24/11/2005 07:19 (GMT+7)

    Toshiba tăng tốc chip nhớ flash

    Năm 2006, Toshiba có kế hoạch tăng gấp đôi tốc dộ đọc/ghi của bộ nhớ flash NAND, đạt 12MB/giây

    Bộ nhớ flash NAND được dùng làm phương tiện lưu trữ cơ sở cho rất nhiều thiết bị như máy ảnh số, máy nghe nhạc, thẻ nhớ, và chip nhớ tốc độ cao nghĩa là dữ liệu được truyền giữa máy tính và thiết bị nhanh hơn. Hiện tốc độ đọc/ghi dữ liệu của chip nhớ flash NAND của Toshiba  là 6MB/giây. Người phát ngôn Hiroko Mochida của Toshiba cho biết, công ty dự định sẽ tăng gấp đôi tốc độ lên 12MB/giây vào năm 2006.

    Hiện tại phần lớn chip nhớ flash NAND được Toshiba sản xuất trên dây chuyền 90nm (1 nm = 10-9m) nhưng công ty có kế hoạch bắt đầu sản xuất chip trên dây chuyền 52 nm trong năm 2006. Các chip có đại lượng đo đặc trưng là smallest feature (đặc trưng kích thước nhỏ nhất giữa hai transitor được “cấy” trên cùng một tấm silicon). Những chip ban đầu sẽ có dung lượng là 2GB.

    Sự ganh đua ngày càng tăng

    Loại chip mới của Toshiba sẽ tham gia vào cuộc cạnh tranh ngày càng khốc liệt trong thị trường chip nhớ flash. Sau khi Apple tung ra máy nghe nhạc iPod Nano sử dụng bộ nhớ flash NAND, nhu cầu loại chip nhớ này tăng do đó các nhà sản xuất đang cạnh tranh với nhau để tăng lượng hàng bán ra.

    Năm 2004 Toshiba là nhà sản xuất chip nhớ flash có thu nhập đứng thứ hai, sau Samsung Electronics. TIếp sau Toshiba lần lượt là SanDisk, Renesas Technology, và Hynix. Kể từ quý II/2005, Hynix Semiconductor đã tăng công suất của mình do đó Toshiba cũng cần phải tăng sản lượng nếu không muốn đánh mất thị phần. Nhà phân tích Hiroyuki Shimizu của công ty Gartner tại Tohyo dự đoán, có thể đến cuối năm 2005 này, Hynix Semiconductor sẽ vươn lên vị trí thứ ba trong sách trên.

    Ông Shimizu nói, cuộc tranh này là một tin tốt lành cho người tiêu dùng vì nó làm giá hạ xuống. Tuy nhiên nó cũng làm người ta lo ngại là cầu sẽ vượt quá cung, gây nên khủng hoảng thiếu (shortage) khiến giá sẽ bị đội lên.


    IDG News Service, 21/11/2005

    ID: O0511_1