• Thứ Năm, 20/07/2006 09:05 (GMT+7)

    Các nhà khoa học mở đường cho việc tạo ra chip rẻ và sạch hơn

    Một nhà nghiên cứu cho biết, có thể còn mất vài năm nữa để tiến hành thử nghiệm trước khi thương mại hóa công nghệ này, nhưng lợi ích công nghệ đưa lại có thể sẽ là rất lớn.

    Các nhà nghiên cứu của Anh đã tìm ra cách sử dụng tia cực tím thay cho những lò nung để tạo ra lớp cách ly dioxit silic (SiO2) trên các chip máy tính. Đây là một bước đột phá có thể dẫn tới việc tiết kiệm được nhiều năng lượng cho các nhà sản xuất chip và hạ thấp giá cả cho người tiêu dùng.

     

    Việc tạo ra lớp SiO2 trên bề mặt các “bánh” silic (silicon wafer) là một giai đoạn quan trọng trong việc sản xuất chip. Màng này sẽ là lớp cách điện trên bề mặt sau đó sẽ có nhiều mạch điện được “cấy” lên bằng kkĩ thuật in li tô (photolithography) (thuật ngữ chuyên môn bằng tiếng Anh là "active gate layer").

     

    Trong tự nhiên SiO2 được tạo ra khi khi silic (Si) bị “phơi” ra ngoài không khí (hơi giống việc sắt bị oxy hóa thành rỉ sắt), tuy nhiên quá trình này diễn ra rất chậm ở nhiệt độ phòng. Ngày nay, các nhà sản xuất chip phải nung các silicon wafer trong những lò nung có nhiệt độ lên tới 1.0000C để tăng tốc quá trình này.

     

                    Đại Học London (UCL)
    Ông Ian Boyd, lãnh đạo dự án thuộc Khoa Kĩ Nghệ Điện và Điện Tử của Đại Học London (UCL) cho biết, các kĩ sư của UCL đã tìm ra cách tăng tốc việc tạo ra SiO2 ở nhiệt độ phòng nhờ sử dụng nhiều đèn tử ngoại. Thời gian tạo ra được lớp SiO2 thích hợp cũng bằng với thời gian nung trong lò nung.

     

    Theo ông Boyd, có thể còn mất vài năm nữa để tiến hành thử nghiệm trước khi thương mại hóa công nghệ này, nhưng lợi ích công nghệ đưa lại có thể sẽ là rất lớn. Kĩ thuật này sử dụng ít năng lượng hơn lò nung nhiều, do đó sẽ giúp các nhà sản xuất chip tiết kiệm được hàng triệu USD và giảm giá thành của chip.

     

    Vấn đề cốt yếu là xác định đúng loại tia tử ngoại. Các kĩ sư đã tiến hành thí nghiệm trong nhiều năm với các tia tử ngoại có bước sóng 122nm và 172nm (1nm = 10-9m) nhưng vẫn cần nhiệt độ 4000C. Khi họ dùng tia tử ngoại có bước sóng 126nm thì tạo ra được SiO2 ở nhiệt độ phòng.

     

    Theo ông Boyd, có nhiều nhà sản xuất chip tỏ ra quan tâm tới công việc của dự án nhưng ông từ chối nêu đích danh những công ty này.

    IDG News Service, 6/7/2006

    ID: O0607_1