• Thứ Năm, 09/11/2006 13:02 (GMT+7)

    Intel xuất xưởng số lượng lớn bộ nhớ NOR Flash 65nm

    Ngày 8/11/2006, tập đoàn Intel đã công bố xuất xưởng với số lượng lớn lần đầu tiên các sản phẩm bộ nhớ khoang đa cấp (MLC) NOR flash 65nm, bao gồm cả sản phẩm nguyên khối 1 Gigabit (Gb) 65nm đầu tiên của ngành công nghiệp dành cho điện thoại di động.

    Những sản phẩm mới này được phát triển dựa trên kiến trúc bộ nhớ StrataFlash Cellular Memory (M18) của Intel và có khả năng tương thích tốt với các chip flash sử dụng công nghệ 90nm được sản xuất với số lượng lớn của Intel, đảm bảo một tiến trình chuyển đổi dễ dàng cho các nhà sản xuất thiết bị chính gốc (OEM) về điện thoại di động.

    Nhắm đến các điện thoại di động đa phương tiện với máy chụp hình có độ phân giải cao (mức mega pixel), khả năng quay/xem video và xử lý dữ liệu tốc độ cao, bộ nhớ NOR MLC 1 Gb mới này hoàn toàn phù hợp với thế hệ điện thoại di động sắp được tung ra thị trường.

    Các sản phẩm NOR MLC 65nm mới từ Intel mang lại tốc độ đọc dữ liệu nhanh (lên đến 133MHz) và cải thiện tốc độ ghi dữ liệu (lên tới 1 MB/gíây), mang lại các khả năng xử lý nhanh hơn và lưu trữ lớn hơn cho máy ảnh 4 mega-pixel và video MPEG-4. Tốc độ ghi dữ liệu trên phiên bản 65 nanomet (nm) nhanh gấp đôi so với sản phẩm thế hệ trước của Intel. Thời gian sử dụng pin cũng được tăng cường với mức tiêu thụ điện năng thấp, hoạt động ở mức điện thế 1,8V và một chế độ "ngủ" tiết kiệm điện.

    Họ sản phẩm mới này được phát triển dựa trên sự hợp tác hiện nay về kiến trúc bộ nhớ di động giữa Intel và STMicroelectronics. Sự hợp tác này đảm bảo cho các nhà sản xuất điện thoại di động một kiến trúc chung thống nhất với giao diện và cấu hình bộ nhớ chuẩn, cũng như mang lại một khả năng cung cấp đa nguồn về các chip có hiệu suất hoạt động nhanh, mật độ cao và tiêu thụ điện năng thấp.

    Anh Khoa

    (tin từ Intel VN)

    ID: O0611_1