• Thứ Sáu, 24/04/2009 17:36 (GMT+7)

    Nghiên cứu chip nhớ thay thế DRAM, NAND

    Một nhóm nghiên cứu của Đài Loan đã chuyển sang nghiên cứu RRAM (Resistive-RAM) - loại  chip nhớ có thể thay thế cả DRAM lẫn NAND.

    DRAM do IBM sáng chế đã được dùng làm bộ nhớ chính của máy tính từ nhiều thập kỷ qua và có khả năng xử lý dữ liệu ở tốc độ cao. Tuy nhiên, nó có hạn chế là khi mất điện thì dữ liệu trong DRAM sẽ mất theo.

    Bộ nhớ flash NAND thì mới hơn, có thị trường tăng trưởng nhanh vì có thể lưu một lượng dữ liệu lớn (bài hát, ảnh, phim,…) trong các sản phẩm điện tử tiêu dùng như iPod, iPhone, máy ảnh số,… Khi mất điện thì dữ liệu trong NAND không mất nhưng nó chạy quá chậm để thay thế DRAM.

    Các nhà nghiên cứu của viện Nghiên Cứu Công Nghệ Công Nghiệp (ITRI) Đài Loan tin rằng, RRAM hứa hẹn có thể được sử dụng trong thị trường chip nhúng trong vài năm tới.

    RRAM còn rất thích hợp để sử dụng trong thẻ thông minh và thẻ SIM của ĐTDĐ. RRAM có tốc độ “ngang ngửa” DRAM nhưng khi mất điện thì dữ liệu trong RRAM sẽ không mất. ITRI đã tạo ra các nguyên mẫu chip RRAM 1Kb và sản xuất thành công chip trên các wafer 200mm. Tuy nhiên còn phải mất nhiều năm nữa để tạo ra những chip với đủ dung lượng lưu trữ để thu hút người dùng.

    Các công ty đã chi hàng tỷ USD để xây dựng các nhà máy sản xuất DRAM, NAND cũng như các thành phần PC (như BXL, bo mạch chủ) tương thích DRAM nên trước mắt, RRAM sẽ rất khó tìm được cách thâm nhập thị trường máy tính. Hiện ITRI đang đàm phán với một số công ty mới thành lập (không phải của Đài Loan) để cùng làm việc trên loại chip nhớ RRAM.


    Bạch Đình Vinh
    Theo IDG News Service, 21/4/2009

    ID: O0904_1