• Thứ Năm, 13/08/2009 09:24 (GMT+7)

    Intel, Micron thông báo công nghệ flash NAND mới

    Hôm 11/8/2009, Intel và Micron Technology thông báo đã phát triển công nghệ bộ nhớ flash NAND 3 bit/cell mới bằng quy trình 34nm của Micron.

    Theo ông Kevin Kilbuck, Giám đốc tiếp thị NAND tại Micron thì công nghệ mới sẽ làm giảm giá thành sản phẩm flash MLC (multi-level cell) của họ xuống. Các chip flash NAND MLC này nay lưu được 2 bit/cell, thường được dùng trong các thiết bị nhớ tiêu dùng như thẻ flash, bút nhớ flash USB. Công nghệ mới sẽ làm kích thước chip giảm 11%, từ 141mm2 xuống 126mm2.

    Bộ nhớ mới được IM Flash Technologies LLC (liên doanh của Micron và Intel) sản xuất. Công nghệ NAND 3 bit/cell sẽ tạo chip 32Gbit nhỏ nhất, giá “mềm”. Hiện Micron đang sản xuất mẫu bộ nhớ flash và sẽ sản xuất hàng loạt trong quý 4/2009.

    Hồi tháng 11/2008, Micron thông báo về chip flash NAND MLC 2 bit/cell, 32Gbit hiện đang được dùng trong các ổ SSD tiêu dùng. Bộ nhớ NAND 3 bit/cell của Micron và Intel cũng là chip 32Gbit nhưng Intel chưa có kế hoạch sử dụng công nghệ này để phát triển ổ SSD trong tương lai gần. Thay vào đó, cuối năm 2009, Micron dự định sử dụng bộ nhớ MLC mật độ cao này cho các bút nhớ USB và hy vọng sẽ làm hạ giá thành sản phẩm.

    Ông Troy Winslow, Giám đốc tiếp thị NAND tại Intel thừa nhận, bộ nhớ flash NAND 3 bit/cell không bền bằng công nghệ bộ nhớ flash NAND SLC (single-level cell), có số chu trình ghi thậm chí còn thấp hơn công nghệ bộ nhớ flash NAND MLC 2 bit/cell. Chính vì vậy, các công ty đang đợi nâng cấp firmware để nâng cao độ bền cho ổ SSD.

    Bạch Đình Vinh
    Theo Computerworld, 11/8/2009

    ID: O0908_1