Hôm 29/3/2010, Samsung Electronics thông báo bắt đầu tung ra với số lượng mẫu mô-đun nhớ mật độ cao nhất, DRAM 32GB, dùng cho máy chủ đến các nhà sản xuất thiết bị.
Mô-đun nhớ cao cấp trước đây của Samsung có dung lượng 16GB, sử dụng chip 2Gbit được sản xuất bằng công nghệ 50nm. Mô-đun mới dựa trên chip DDR3 4Gbit sử dụng công nghệ 40nm mới nhất của Samsung. Samsung đã bắt đầu sử dụng quy trình 40nm để sản xuất các sản phẩm bộ nhớ từ tháng 7/2009. Ông Soo-In Cho, Tổng giám đốc của Samsung Electronics Memory Division cho biết, trong nửa cuối năm 2010, Samsung dự định sẽ chuyển sang quy trình công nghệ 30nm.
Samsung cho biết, mô-đun RDIMM (dual inline memory module) mới bao gồm 36 chip DDR3, có thể chạy ở mức nhanh hơn hoặc bằng mô-đun 16GB 40nm mà không tăng tiêu thụ năng lượng.
Một máy chủ CPU kép có thể chứa tới 12 mô-đun DRAM 32GB, đưa tổng dung lượng bộ nhớ lên mức 384GB, gấp đôi dung lượng trước đây là 192GB/máy chủ. Máy chủ sử dụng mô-đun mới giảm điện năng tiêu thụ đi 5% so với các hệ thống dùng mô-đun 16GB, Samsung cho biết.
Với 6 thanh RDIMM 32GB, một máy chủ CPU kép sẽ có dung lượng lưu trữ 192GB, tăng tốc độ hoạt động DRAM trong hệ thống máy chủ hai chiều 33%, từ 800 Mbits/giây lên 1.066 Mbits/giây. Mức tiêu thụ điện sẽ giảm 40%.
Dự kiến, RDIMM 32GB sẽ bắt đầu được sản xuất hàng loạt vào tháng 4/2010.