• Thứ Sáu, 23/04/2010 10:54 (GMT+7)

    Numonyx công bố bộ nhớ PCM cho các thiết bị tiêu dùng

    Bạch Đình Vinh
    Numonyx B.V. đã giới thiệu 2 sản phẩm bộ nhớ PCM (phase-change memory) được nhằm thay thế DRAM và bộ nhớ NOR sử dụng trong các PC, thiết bị tiêu dùng.

    Theo Numonyx, các chip nhớ nhúng mới có nhiều thuộc tính giống như bộ nhớ flash, bộ nhớ RAM (random access memory), bộ nhớ EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). PCM có độ bền lớn hơn (khi ghi dữ liệu), hiệu năng tốt hơn nhưng cũng đắt hơn nhiều chip nhớ khác (như DRAM, flash NAND). Numonyx không đưa ra mức giá bán lẻ đề xuất mà chỉ nói rằng, các sản phẩm của họ sẽ có giá cao hơn so với những chip nhớ hiện tại cho đến khi chúng được sản xuất với số lượng lớn.

    PCM, hay còn gọi là bộ nhớ PRAM (phase-change random access memory), là một dạng của bộ nhớ ổn định (non-volatile) dựa trên việc sử dụng sự tích điện để thay đổi các vùng trên vật liệu có tính chất thủy tinh (từ tinh thể đến ngẫu nhiên). PCM hứa hẹn sẽ nhanh hơn, rẻ hơn, tiêu thụ ít điện năng hơn so với nhiều dạng bộ nhớ khác. Đến bây giờ, giá thành của PCM vẫn còn cao vì quy mô sản xuất chưa lớn.

    Để lưu trữ dữ liệu, DRAM yêu cầu điện năng liên tục nhưng PCM thì có thể tiếp tục lưu trữ dữ liệu ngay cả khi thiết bị đã tắt nguồn (giống như bộ nhớ flash). PCM tồn tại lâu hơn bởi vì, không giống như bộ nhớ flash, nó không phải thực hiện một chức năng xóa trước khi ghi mà đơn giản là, PCM chỉ ghi đè lên những ô nhớ đã tồn tại các bit dữ liệu.

    Chip PCM Omneo P5Q mới của Numonyx có mạch ghép nối ngoại vi tuần tự mới hơn và phổ biến hơn, trong khi sản phẩm PCM Omneo P8P của họ sử dụng mạch ghép nối NOR song song cũ hơn (nhưng chắc chắn hơn). Cả 2 sản phẩm có dung lượng 128Mbit. Chip PCM Omneo P5Q có mạch ghép nối vào/ra tuần tự đơn, đôi, tứ. Theo ông Clifford Smith, giám đốc các công nghệ mới của Numonyx, những sản phẩm PCM mới có tốc độ ghi nhanh hơn 300 lần so với flash NAND/NOR và có độ bền ghi gấp 10 lần so với bộ nhớ flash hiện nay.

    Theo Numonyx, các chip PCM của họ đều được sản xuất bằng quy trình 90nm, đạt 1 triệu chu kỳ ghi, gấp 10 lần so với bộ nhớ flash NAND SLC (single-level cell) cao cấp được sử dụng trong các ổ đĩa trạng thái rắn (SSD) cho doanh nghiệp.

    Từ khóa: bộ nhớ PCM
    Nguồn: Computerworld, 21/4/2010