• Chủ Nhật, 25/07/2010 10:48 (GMT+7)

    Samsung và Toshiba tìm cách tăng tốc độ bộ nhớ flash NAND

    Huy Thắng
    Samsung Electronics và Toshiba có kế hoạch hình thành một đặc tả nhằm tăng lưu lượng dữ liệu trong bộ nhớ flash NAND đang được dùng trong iPad, iPhone, ổ SSD dùng trong máy tính và trung tâm dữ liệu.

    Hai hãng sản xuất chip nhớ flash NAND lớn nhất thế giới này đang cố phát triển bộ nhớ flash NAND DDR (Double Data Rate) với giao tiếp 400Mb/giây, nhanh hơn tốc độ 133Mb/giây của giao thức trước đây, và nhanh hơn 10 lần so với giao thức 40Mb/giây của các chip flash NAND truyền thống.

    Công nghệ mới này được gọi là DDR toggle-mode, là sản phẩm đối đầu với ONFI (Open NAND Flash Interface) đang được Intel, Micron Technology và SanDisk hỗ trợ. Cả 2 đặc tả công nghệ này đều nhắm vào các sản phẩm hiệu năng cao như ổ SSD, mà những người ủng hộ bộ nhớ flash NAND hy vọng trong tương lai sẽ thay thế ổ đĩa cứng HDD.

    Theo thông tin trên trang web của ONFI, giao thức ONFI có thể đạt tốc độ 166Mb/giây và 200Mb/giây.

    Theo Gregory Wong, CEO của hãng nghiên cứu công nghiệp Forward Insights, cả 2 giao thức trên đều nhắm vào mức độ hiệu năng như nhau. ONFI có thuận lợi hơn do ra đời sớm hơn, nhưng DDR có phần tương thích hơn với giao tiếp không đồng bộ chuẩn.

    Ông Gregory Wong cho biết, tỷ lệ sử dụng công nghệ nào là do nguồn cung quyết định. Do Samsung và Toshiba cung cấp cho gần 70% thị trường bộ nhớ flash NAND, nên 2 hãng này có thể tiến lên dẫn đầu trong việc thúc đẩy khách hàng sử dụng DDR toggle-mode.

    Nhà phân tích Jim Handy của Objective Analysis cho biết, giao thức có tốc độ nhanh hơn rất cần thiết cho chip NAND vì ngày càng được nhiều người sử dụng để xử lý dữ liệu, chứ không hẳn dùng để nghe nhạc xem phim và kết nối USB không thôi. Ông cho biết thêm, Samsung và Toshiba đang cố giải quyết vấn đề tương thích của DDR toggle-mode.

    Hai hãng này cho biết, họ hy vọng ngày càng nhiều người dùng smartphone, máy tính bảng và ổ SSD sẽ làm tăng nhu cầu chip NAND hiệu năng cao. Liên tục nâng cấp tốc độ cũng sẽ tạo ra được nhiều sản phẩm mới dựa trên nền bộ nhớ flash NAND.

    Hồi tháng 6/2010, Samsung đã giới thiệu một trong những ổ SSD đầu tiên sử dụng bộ nhớ flash NAND DDR toggle-mode có dung lượng 512GB, tốc độ đọc tối đa 250MB/giây và tốc độ ghi tuần tự 220MB/giây.

    Nguồn: IDG News, 23/7/2010