Hôm 17/8/2010, Intel và Micron Technology đã thông báo việc cung cấp bộ nhớ flash NAND 3-bit/cell trên công nghệ in thạch bản 25nm.
Các chip nhớ flash mới tượng trưng cho thiết bị NAND nhỏ nhất, dung lượng cao nhất cho đến nay của ngành công nghiệp, các công ty nói.
Một slide thuyết trình bị rò rỉ hôm 16/8/2010 cũng cho thấy, Intel đang tăng dung lượng cho các ổ đĩa trạng thái rắn (SSD) của họ lên 600GB thông qua việc sử dụng những chip nhớ với sức chứa gấp đôi các thiết bị hiện hành.
Slide cho biết, bằng cách sử dụng công nghệ 25nm, Intel sẽ tăng dung lượng của dòng ổ SSD cho người tiêu dùng X25-M từ 80GB, 160GB hiện nay lên 160GB, 300GB và 600GB. Theo slide này, Intel cũng dự kiến sẽ tăng gấp đôi dung lượng của ổ SSD cấp thấp X25-V (được nhắm cho thị trường netbook và máy tính bảng) từ 40GB hiện nay lên 80GB.
Các chip flash NAND 3-bit/cell được nhắm cho các thẻ nhớ flash, ổ đĩa USB và máy nghe nhạc MP3. Các ổ SSD của 2 công ty tiếp tục sử dụng flash NAND 2-bit/cell và 1-bit/cell.
Chip flash NAND mới là sự kết hợp của 2 công nghệ flash NAND MLC (multi-level cell) giữ được 2-bit dữ liệu mỗi cell và flash NAND SLC (single-level cell) giữ 1-bit/cell.
Chip NAND mới nhỏ hơn 20% so với chip nhớ flash được bán ngày nay.